STP7NM80

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.05 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

18 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

90 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

MDmesh

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

9.15 mm

Ұзындығы:

10.4 mm

Серия:

STP7NM80

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.6 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Форвард өткізгіштік - Мин:

4 S

Күз уақыты:

10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Бірлік салмағы:

0.011640 oz

Tags

STP7NM, STP7N, STP7, STP