US6M11TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363T-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V, 12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.5 A, 1.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

180 mOhms, 260 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

1.8 nC, 2.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1 W

Конфигурация:

Қосарлы

Қаптама:

Ролик

Серия:

US6M11

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

3 ns, 9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns, 10 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns, 30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns, 8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

US6M11

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

US6M11T, US6M11, US6M1, US6M, US6