PHT6NQ10T,135

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-223-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

90 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

21 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.7 mm

Ұзындығы:

6.7 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.7 mm

Бренд:

Nexperia

Күз уақыты:

10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

/T3 PHT6NQ10T

Бірлік салмағы:

0.008818 oz

Tags

PHT6NQ, PHT6N, PHT6, PHT