IPB06N03LA G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

25 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

50 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9.5 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

83 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

58 S / 29 S

Күз уақыты:

4.4 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

30 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPB06N03LA, IPB06N03L, IPB06N, IPB06, IPB0, IPB