IXTA1N200P3HV

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

2 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

40 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

23.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

125 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

400 mS

Күз уақыты:

80 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

26 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

37 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Бірлік салмағы:

0.052911 oz

Tags

IXTA1N, IXTA1, IXTA, IXT