STGD3NB60FT4

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

IGBT транзисторлары

RoHS:

Y

Технология:

Си

Пакет/қорап:

DPAK-3

Орнату стилі:

SMD/SMT

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

600 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1.9 V

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

20 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

3 A

Pd - қуаттың шығыны:

60 W

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Серия:

STGD3NB60F

Қаптама:

Ролик

Үздіксіз коллектор ток Ic макс:

6 A

Биіктігі:

2.4 mm

Ұзындығы:

6.6 mm

Ені:

6.2 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Үздіксіз коллекторлық ток:

3 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

100 nA

Өнім түрі:

IGBT транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

IGBT

Бірлік салмағы:

0.012346 oz

Tags

STGD3NB, STGD3N, STGD3, STGD, STG