OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

IPD180N10N

IPD180N10N
Mfr. #:
IPD180N10N
Өндіруші:
Infineon Technologies
Сипаттама:
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IPD180N10N Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Infineon Technologies
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
OptiMOS
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
IPD180N10N3GBTMA1 IPD180N10N3GXT SP000482438
Бірлік-салмағы
0.139332 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 175°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PG-TO252-3
Конфигурация
Бойдақ
FET түрі
MOSFET N-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
71W
Транзистор түрі
1 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
100V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
1800pF @ 50V
FET мүмкіндігі
Стандартты
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
43A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3.5V @ 33μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
25nC @ 10V
Pd-қуат-диссипация
71 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 175 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
5 ns
Көтерілу уақыты
12 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
20 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
43 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
100 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
18 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
19 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
12 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
IPD18, IPD1, IPD
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IPD180N10N3GATMA1
DISTI # V72:2272_09156944		Infineon Technologies AGMV POWER MOS1850
  • 1000:$0.4258
  • 500:$0.5137
  • 250:$0.5657
  • 100:$0.5675
  • 25:$0.6906
  • 10:$0.6937
  • 1:$0.7809
IPD180N10N3GATMA1
DISTI # IPD180N10N3GATMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMV POWER MOS
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 2500:$0.4813
IPD180N10N3GBTMA1
DISTI # IPD180N10N3GBTMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPD180N10N3GBTMA1
    DISTI # IPD180N10N3GBTMA1CT-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      IPD180N10N3GBTMA1
      DISTI # IPD180N10N3GBTMA1DKR-ND      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        IPD180N10N3GATMA1
        DISTI # IPD180N10N3GATMA1CT-ND        		Infineon Technologies AGMV POWER MOS
        RoHS: Compliant
        Min Qty: 1
        Container: Cut Tape (CT)        		Temporarily Out of Stock
        • 1000:$0.5311
        • 500:$0.6727
        • 100:$0.8675
        • 10:$1.0980
        • 1:$1.2400
        IPD180N10N3GATMA1
        DISTI # IPD180N10N3GATMA1DKR-ND        		Infineon Technologies AGMV POWER MOS
        RoHS: Compliant
        Min Qty: 1
        Container: Digi-Reel®        		Temporarily Out of Stock
        • 1000:$0.5311
        • 500:$0.6727
        • 100:$0.8675
        • 10:$1.0980
        • 1:$1.2400
        IPD180N10N3GATMA1
        DISTI # 26196098        		Infineon Technologies AGMV POWER MOS1850
        • 21:$0.7816
        IPD180N10N3 G
        DISTI # IPD180N10N3 G        		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD180N10N3 G)
        RoHS: Compliant
        Min Qty: 2500
        Container: Tape and Reel        		Asia - 12500
        • 2500:$0.4992
        • 5000:$0.4787
        • 7500:$0.4722
        • 12500:$0.4538
        • 25000:$0.4480
        • 62500:$0.4368
        • 125000:$0.4261
        IPD180N10N3GATMA1
        DISTI # IPD180N10N3GATMA1        		Infineon Technologies AGMV POWER MOS - Tape and Reel (Alt: IPD180N10N3GATMA1)
        RoHS: Compliant
        Min Qty: 2500
        Container: Reel        		Americas - 0
        • 2500:$0.3599
        • 5000:$0.3469
        • 10000:$0.3339
        • 15000:$0.3229
        • 25000:$0.3169
        IPD180N10N3GBTMA1
        DISTI # IPD180N10N3GBTMA1        		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: IPD180N10N3GBTMA1)
        RoHS: Compliant
        Min Qty: 2500
        Container: Reel        		Americas - 0
        • 2500:$0.3599
        • 5000:$0.3469
        • 10000:$0.3339
        • 15000:$0.3229
        • 25000:$0.3169
        IPD180N10N3GATMA1
        DISTI # 47Y8049        		Infineon Technologies AGMOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V , RoHS Compliant: Yes0
          IPD180N10N3GATMA1
          DISTI # 726-IPD180N10N3GATMA          		Infineon Technologies AGMOSFET MV POWER MOS
          RoHS: Compliant          		251
          • 1:$1.0300
          • 10:$0.8750
          • 100:$0.6720
          • 500:$0.5940
          • 1000:$0.4690
          • 2500:$0.4160
          IPD180N10N3GBTMA1
          DISTI # 726-IPD180N10N3GBTMA          		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
          RoHS: Compliant          		0
          • 1:$1.0300
          • 10:$0.8750
          • 100:$0.6720
          • 500:$0.5940
          • 1000:$0.4690
          • 2500:$0.4160
          • 10000:$0.4010
          IPD180N10N3 G
          DISTI # 726-IPD180N10N3G          		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
          RoHS: Compliant          		0
          • 1:$1.0300
          • 10:$0.8750
          • 100:$0.6720
          • 500:$0.5940
          • 1000:$0.4690
          • 2500:$0.4160
          • 10000:$0.4010
          IPD180N10N3GInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
          RoHS: Compliant          		116
          • 1000:$0.4600
          • 500:$0.4800
          • 100:$0.5000
          • 25:$0.5200
          • 1:$0.5600
          IPD180N10N3GBTMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 43A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
          RoHS: Compliant          		166
          • 1000:$0.4400
          • 500:$0.4600
          • 100:$0.4800
          • 25:$0.5000
          • 1:$0.5400
          IPD180N10N3GInfineon Technologies AGINSTOCK622
            IPD180N10N3GATMA1
            DISTI # 2443433            		Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 100V, 43A, TO-252-3
            RoHS: Compliant            		0
            • 1:$1.6300
            • 10:$1.3900
            • 100:$1.0700
            • 500:$0.9400
            • 1000:$0.7430
            • 2500:$0.6670
            IPD180N10N3GBTMA1
            DISTI # 2617464            		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 100V, 43A, TO-252-3
            RoHS: Compliant            		0
            • 1:$1.4900
            • 10:$1.2300
            • 100:$0.9930
            • 250:$0.8880
            • 500:$0.7870
            • 1000:$0.7320
            Сурет Бөлім № Сипаттама
            IPD180N10N3GATMA1

            Mfr.#: IPD180N10N3GATMA1

            OMO.#: OMO-IPD180N10N3GATMA1

            		 MOSFET MV POWER MOS
            IPD180N10N3GBTMA1

            Mfr.#: IPD180N10N3GBTMA1

            OMO.#: OMO-IPD180N10N3GBTMA1

            		 MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
            IPD180N10N3 G

            Mfr.#: IPD180N10N3 G

            OMO.#: OMO-IPD180N10N3-G

            		 MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
            IPD180N10N3GBTMA1

            Mfr.#: IPD180N10N3GBTMA1

            OMO.#: OMO-IPD180N10N3GBTMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

            		 MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
            IPD180N10N3GATMA1

            Mfr.#: IPD180N10N3GATMA1

            OMO.#: OMO-IPD180N10N3GATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

            		 MV POWER MOS
            IPD180N10N3GATMA1-CUT TAPE

            Mfr.#: IPD180N10N3GATMA1-CUT TAPE

            OMO.#: OMO-IPD180N10N3GATMA1-CUT-TAPE-1190

            		 Жаңа және түпнұсқа
            IPD180N10N

            Mfr.#: IPD180N10N

            OMO.#: OMO-IPD180N10N-1190

            		 Жаңа және түпнұсқа
            IPD180N10N3 G

            Mfr.#: IPD180N10N3 G

            OMO.#: OMO-IPD180N10N3-G-1190

            		 MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
            IPD180N10N3GATMA1 , 2SD2

            Mfr.#: IPD180N10N3GATMA1 , 2SD2

            OMO.#: OMO-IPD180N10N3GATMA1-2SD2-1190

            		 Жаңа және түпнұсқа
            IPD180N10N3G

            Mfr.#: IPD180N10N3G

            OMO.#: OMO-IPD180N10N3G-124

            		 Darlington Transistors MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
            Қол жетімділік
            Қор:
            Available
            Тапсырыс бойынша:
            4500
            Саны енгізіңіз:
            IPD180N10N ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
            Анықтамалық баға (USD)
            Саны
            Тауар өлшемінің бағасы
            Қосымша. Бағасы
            1
            0,00 $
            0,00 $
            10
            0,00 $
            0,00 $
            100
            0,00 $
            0,00 $
            500
            0,00 $
            0,00 $
            1000
            0,00 $
            0,00 $
            -ден бастаңыз
            Top