OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

IXFT36N60P

IXFT36N60P
Mfr. #:
IXFT36N60P
Өндіруші:
Littelfuse
Сипаттама:
MOSFET 600V 36A
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IXFT36N60P Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFT36N60P DatasheetIXFT36N60P Datasheet (P4)
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
IXFT36N60P Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
IXYS
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
TO-268-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
600 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
36 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
190 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
5 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
30 V
Qg - қақпа заряды:
102 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
650 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
HiPerFET
Қаптама:
Түтік
Биіктігі:
5.1 mm
Ұзындығы:
16.05 mm
Серия:
IXFT36N60
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Түрі:
PolarHV HiPerFET Power MOSFET
Ені:
14 mm
Бренд:
IXYS
Форвард өткізгіштік - Мин:
25 S
Күз уақыты:
22 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
25 ns
Зауыттық буманың саны:
30
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
80 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
30 ns
Бірлік салмағы:
0.158733 oz
Tags
IXFT3, IXFT, IXF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 600 V 36 A 190 mO Surface Mount PolarHV HiPerFET Power Mosfet - TO-268
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 36A TO268
***ark
MOSFET, N, TO-268
***el Nordic
Contact for details
***nell
MOSFET, N, TO-268; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 36A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 650W; Transistor Case Style: TO-268; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017); Capacitance Ciss Typ: 5800pF; Current Id Max: 36A; Junction to Case Thermal Resistance A: 0.19°C/W; N-channel Gate Charge: 102nC; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Reverse Recovery Time trr Max: 200ns; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 600V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IXFT36N60P
DISTI # IXFT36N60P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$7.7697
IXFT36N60P
DISTI # 747-IXFT36N60P		IXYS CorporationMOSFET 600V 36A
RoHS: Compliant		0
  • 1:$10.8900
  • 10:$9.8100
  • 25:$8.1600
  • 50:$7.5800
  • 100:$7.4100
  • 250:$6.7700
  • 500:$6.1700
  • 1000:$5.8900
IXFT36N60P
DISTI # 1427341		IXYS CorporationMOSFET, N, TO-268
RoHS: Compliant		0
  • 1000:$9.0600
  • 500:$9.4900
  • 250:$10.4100
  • 100:$11.4000
  • 50:$11.6500
  • 25:$12.5500
  • 10:$15.0800
  • 1:$16.7400
Сурет Бөлім № Сипаттама
IXFT36N50P

Mfr.#: IXFT36N50P

OMO.#: OMO-IXFT36N50P

 MOSFET 500V 36A
IXFT30N60P

Mfr.#: IXFT30N60P

OMO.#: OMO-IXFT30N60P

 MOSFET 600V 30A
IXFT30N40Q

Mfr.#: IXFT30N40Q

OMO.#: OMO-IXFT30N40Q

 MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds
IXFT320N10T2

Mfr.#: IXFT320N10T2

OMO.#: OMO-IXFT320N10T2-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
IXFT32N50Q

Mfr.#: IXFT32N50Q

OMO.#: OMO-IXFT32N50Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 500V 32A
IXFT32N50

Mfr.#: IXFT32N50

OMO.#: OMO-IXFT32N50-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds
IXFT30N50Q

Mfr.#: IXFT30N50Q

OMO.#: OMO-IXFT30N50Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
IXFT30N50

Mfr.#: IXFT30N50

OMO.#: OMO-IXFT30N50-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds
IXFT340N075T2

Mfr.#: IXFT340N075T2

OMO.#: OMO-IXFT340N075T2-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
IXFT36N60P

Mfr.#: IXFT36N60P

OMO.#: OMO-IXFT36N60P-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 600V 36A
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
2000
Саны енгізіңіз:
IXFT36N60P ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
10,89 $
10,89 $
10
9,81 $
98,10 $
25
8,16 $
204,00 $
50
7,58 $
379,00 $
100
7,41 $
741,00 $
250
6,77 $
1 692,50 $
500
6,17 $
3 085,00 $
1000
5,89 $
5 890,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top