IRF7101PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

150 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

10 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.1 S

Күз уақыты:

30 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10 ns

Зауыттық буманың саны:

95

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

24 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001559728

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

IRF7101, IRF710, IRF71, IRF7, IRF