OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

FDFMA3N109

FDFMA3N109
Mfr. #:
FDFMA3N109
Өндіруші:
ON Semiconductor
Сипаттама:
MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
FDFMA3N109 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Fairchild Semiconductor
Өнім санаты
FETs - жалғыз
Сериялар
PowerTrenchR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бірлік-салмағы
0.002116 oz
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Пакет-қорап
6-WDFN Exposed Pad
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
1 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
6-MicroFET (2x2)
Конфигурация
Шоттки диодымен жалғыз
FET түрі
MOSFET N-арнасы, металл оксиді
Қуат – Макс
650mW
Транзистор түрі
1 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
30V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
220pF @ 15V
FET мүмкіндігі
Диод (оқшауланған)
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
2.9A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.5V @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
3nC @ 4.5V
Pd-қуат-диссипация
1.5 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
8 ns
Көтерілу уақыты
8 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
12 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
2.9 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
123 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
12 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
6 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
FDFMA3, FDFMA, FDFM, FDF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
Integrated N-Channel PowerTrench®MOSFET and Schottky Diode 30 V, 2.9 A, 123 mΩ
***ment14 APAC
MOSFET, N, MLP6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):123mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:1V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MicroFET; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2.9A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Package / Case:MLP-6; Power Dissipation Pd:1.5W; Power Dissipation Pd:1.5W; Pulse Current Idm:10A; SMD Marking:109; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
***rchild Semiconductor
This device is designed specifically as a single package solution for a boost topology in cellular handset and other ultra-portable applications. It features a MOSFET with low input capacitance, total gate charge and onstate resistance, and an independently connected schottky diode with low forward voltage and reverse leakage current to maximize boost efficiency. The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to switching and linear mode applications.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
FDFMA3N109
DISTI # V72:2272_06337763		ON Semiconductor30V,2.9A ,INTEGRATED, NCH POWE1923
  • 1000:$0.2692
  • 500:$0.2990
  • 250:$0.3323
  • 100:$0.3693
  • 25:$0.5657
  • 10:$0.5666
  • 1:$0.6695
FDFMA3N109
DISTI # FDFMA3N109FSCT-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		21130In Stock
  • 1000:$0.3586
  • 500:$0.4482
  • 100:$0.6051
  • 10:$0.7840
  • 1:$0.9000
FDFMA3N109
DISTI # FDFMA3N109FSDKR-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		21130In Stock
  • 1000:$0.3586
  • 500:$0.4482
  • 100:$0.6051
  • 10:$0.7840
  • 1:$0.9000
FDFMA3N109
DISTI # FDFMA3N109FSTR-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		21000In Stock
  • 3000:$0.3155
FDFMA3N109
DISTI # 25745010		ON Semiconductor30V,2.9A ,INTEGRATED, NCH POWE1923
  • 1000:$0.2692
  • 500:$0.2990
  • 250:$0.3323
  • 100:$0.3693
  • 29:$0.5657
FDFMA3N109
DISTI # FDFMA3N109		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin MicroFET T/R (Alt: FDFMA3N109)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 3000:€0.3319
  • 6000:€0.2719
  • 12000:€0.2489
  • 18000:€0.2299
  • 30000:€0.2129
FDFMA3N109
DISTI # FDFMA3N109		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin MicroFET T/R - Tape and Reel (Alt: FDFMA3N109)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.2359
  • 6000:$0.2339
  • 12000:$0.2309
  • 18000:$0.2279
  • 30000:$0.2219
FDFMA3N109
DISTI # 04M9094		ON SemiconductorTRANSISTOR ARRAY, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel + Schottky,Continuous Drain Current Id:2.9A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):0.075ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:1V RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.2670
  • 9000:$0.2580
  • 24000:$0.2480
FDFMA3N109Fairchild Semiconductor CorporationSmall Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
RoHS: Compliant		75450
  • 1000:$0.3800
  • 500:$0.4000
  • 100:$0.4200
  • 25:$0.4400
  • 1:$0.4700
FDFMA3N109
DISTI # 512-FDFMA3N109		ON SemiconductorMOSFET PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
RoHS: Compliant		5668
  • 1:$0.7400
  • 10:$0.6140
  • 100:$0.3960
  • 1000:$0.3170
  • 3000:$0.2680
  • 9000:$0.2580
  • 24000:$0.2480
FDFMA3N109
DISTI # 1324787RL		ON SemiconductorMOSFET, N, MLP6
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.1800
  • 10:$0.9720
  • 100:$0.6270
  • 1000:$0.5020
  • 3000:$0.4250
  • 9000:$0.4090
  • 24000:$0.3930
  • 45000:$0.3870
FDFMA3N109
DISTI # 1324787		ON SemiconductorMOSFET, N, MLP6
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.1800
  • 10:$0.9720
  • 100:$0.6270
  • 1000:$0.5020
  • 3000:$0.4250
  • 9000:$0.4090
  • 24000:$0.3930
  • 45000:$0.3870
FDFMA3N109
DISTI # C1S541901518927		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin MLP EP T/R
RoHS: Compliant		1923
  • 250:$0.3323
  • 100:$0.3693
  • 25:$0.5657
  • 10:$0.5666
Сурет Бөлім № Сипаттама
FDFMA2N028Z

Mfr.#: FDFMA2N028Z

OMO.#: OMO-FDFMA2N028Z

 MOSFET 20V N-Ch PT MFET SCHOTTKY
FDFMA2P853

Mfr.#: FDFMA2P853

OMO.#: OMO-FDFMA2P853

 MOSFET MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO
FDFMA2P853T

Mfr.#: FDFMA2P853T

OMO.#: OMO-FDFMA2P853T

 MOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrench
FDFMA2P853T

Mfr.#: FDFMA2P853T

OMO.#: OMO-FDFMA2P853T-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
FDFMA2P029

Mfr.#: FDFMA2P029

OMO.#: OMO-FDFMA2P029-1190

 Жаңа және түпнұсқа
FDFMA2P029Z

Mfr.#: FDFMA2P029Z

OMO.#: OMO-FDFMA2P029Z-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
FDFMA2P853(853N)

Mfr.#: FDFMA2P853(853N)

OMO.#: OMO-FDFMA2P853-853N--1190

 Жаңа және түпнұсқа
FDFMA2P853/853F

Mfr.#: FDFMA2P853/853F

OMO.#: OMO-FDFMA2P853-853F-1190

 Жаңа және түпнұсқа
FDFMA3N109

Mfr.#: FDFMA3N109

OMO.#: OMO-FDFMA3N109-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
FDFMA520PZ

Mfr.#: FDFMA520PZ

OMO.#: OMO-FDFMA520PZ-1190

 Жаңа және түпнұсқа
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1000
Саны енгізіңіз:
FDFMA3N109 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
0,32 $
0,32 $
10
0,31 $
3,06 $
100
0,29 $
29,03 $
500
0,27 $
137,05 $
1000
0,26 $
258,00 $
-ден бастаңыз
Top