RFD10P03LSM

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

N

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

200 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

65 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Биіктігі:

2.39 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

ON Semiconductor / Fairchild

Күз уақыты:

20 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

50 ns

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

RFD10P03LS, RFD10P03L, RFD10P03, RFD10P0, RFD10P, RFD10, RFD1, RFD