TSM061NA03CV RGG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PDFN33-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

66 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

19.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

44.6 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Өнім:

Түзеткіштер

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

51 S

Күз уақыты:

7.8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.8 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

34.4 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11.6 ns

Tags

TSM06, TSM0, TSM