DMN1003UCA6-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

X3-DSN3518-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

23.6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.3 mOhms, 2.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

500 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

56.5 nC, 56.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.67 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

6208 ns, 6208 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

1694 ns, 1694 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

47479 ns, 4747 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

603 ns, 603 ns

Tags

DMN100, DMN10, DMN1, DMN