BSB012NE2LXI

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

WDSON-2-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

25 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

170 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

82 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

57 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.7 mm

Ұзындығы:

6.35 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.05 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

95 S

Күз уақыты:

4.8 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.4 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5.4 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSB012NE2LXIXUMA1 SP001034232

Tags

BSB012NE, BSB012, BSB01, BSB0, BSB