IXTT10N100D

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-268-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

130 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

400 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

5.1 mm

Ұзындығы:

14 mm

Серия:

IXTT10N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Жоғары вольтты MOSFET

Ені:

16.05 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

3 S

Күз уақыты:

75 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

85 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

110 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Бірлік салмағы:

0.158733 oz

Tags

IXTT10, IXTT1, IXTT, IXT