IXTT12N150

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-268-3

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.2 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

12 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

106 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

890 W

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

5.1 mm

Ұзындығы:

14 mm

Серия:

IXTT12N150

Түрі:

Жоғары вольтты қуат MOSFET

Ені:

16.05 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

8 S

Күз уақыты:

14 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

53 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

26 ns

Бірлік салмағы:

0.229281 oz

Tags

IXTT12N, IXTT12, IXTT1, IXTT, IXT