APTM08TAM04PG

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

RoHS:

Y

Өнім:

Power MOSFET модульдері

Түрі:

Аяқ фазасы

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

SP6-P

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 100 C

Қаптама:

Түтік

Конфигурация:

3-Phase

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Күз уақыты:

65 ns

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

120 A

Pd - қуаттың шығыны:

138 W

Өнім түрі:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.2 mOhms

Көтеру уақыты:

60 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

Дискретті жартылай өткізгіш модульдер

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

100 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

75 V

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Бірлік салмағы:

3.880136 oz

Tags

APTM, APT