IRF7379PBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

75 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

16.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

1.75 mm

Ұзындығы:

4.9 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

3.9 mm

Бренд:

Infineon / IR

Күз уақыты:

7.7 ns, 18 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

21 ns, 17 ns

Зауыттық буманың саны:

95

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns, 25 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.8 ns, 11 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001555260

Бірлік салмағы:

0.019048 oz

Tags

IRF7379, IRF737, IRF73, IRF7, IRF