IXTP90N055T2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

55 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

90 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

42 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

150 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

16 mm

Ұзындығы:

10.66 mm

Серия:

IXTP90N055

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

TrenchT2 Power MOSFET

Ені:

4.83 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

25 S

Күз уақыты:

19 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

21 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

39 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTP90N0, IXTP90, IXTP9, IXTP, IXT