QH8MA3TCR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSMT-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7 A, 5.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

22 mOhms, 37 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V, 2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

7.2 nC, 10 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.5 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.7 S, 3.3 S

Күз уақыты:

5.7 ns, 20 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns, 12 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns, 40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7.2 ns, 8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

QH8MA3

Tags

QH8MA, QH8M, QH8