ZXMN10A11KTC

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

350 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

5.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

8.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.39 mm

Ұзындығы:

6.73 mm

Серия:

ZXMN10A

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

4 S

Күз уақыты:

3.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

1.7 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

7.4 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.7 ns

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

ZXMN10A1, ZXMN10A, ZXMN10, ZXMN1, ZXMN, ZXM