SIA817EDJ-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SC70-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

54 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

23 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

6.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

LITTLE FOT, PowerPAK

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.75 mm

Ұзындығы:

2.05 mm

Серия:

SIA

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

2.05 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

9 S

Күз уақыты:

10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

20 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

23 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Бірлік салмағы:

0.000988 oz

Tags

SIA81, SIA8, SIA