MJD32C-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Транзистордың полярлығы:

PNP

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

100 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

100 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

6 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1.2 V

Тұрақты ток коллекторының максималды тогы:

3 A

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

3 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Серия:

MJD32C

Биіктігі:

2.4 mm

Ұзындығы:

6.8 mm

Қаптама:

Ролик

Ені:

6.2 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Pd - қуаттың шығыны:

1560 mW

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

MJD32C-1, MJD32C, MJD32, MJD3, MJD