IXFL82N60P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-264-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

82 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

78 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

240 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

625 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

26.42 mm

Ұзындығы:

20.29 mm

Серия:

IXFL82N60

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264

Ені:

5.21 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

50 S

Күз уақыты:

24 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

23 ns

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

79 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

28 ns

Бірлік салмағы:

0.264555 oz

Tags

IXFL, IXF