SIR616DP-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

42 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

36 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

52 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET, PowerPAK

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.04 mm

Ұзындығы:

6.15 mm

Серия:

СИР

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.15 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

35 S

Күз уақыты:

8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

18 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

SIR61, SIR6, SIR