BS107P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-92-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

200 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

120 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

30 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

5 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Жаппай

Биіктігі:

4.01 mm

Ұзындығы:

4.77 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

BS107

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

FET

Ені:

2.41 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

100 mS

Күз уақыты:

8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns

Зауыттық буманың саны:

4000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns

Бірлік салмағы:

0.008818 oz

Tags

BS107P, BS107, BS10, BS1