SIR836DP-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK-SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

21 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

19 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

11.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

15.6 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

TrenchFET, PowerPAK

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.04 mm

Ұзындығы:

6.15 mm

Серия:

СИР

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

5.15 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

35 S

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SIR836DP-GE3

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

SIR836DP-T, SIR836, SIR83, SIR8, SIR