QS8F2TCR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSMT-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арнасы, PNP

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

44 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

13 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

QS8F2

Транзистор түрі:

1 P-Channel, PNP

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

85 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

35 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

130 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Tags

QS8F, QS8