RS1G120MNTB

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

HSOP-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

12 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

20.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

9.4 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

25 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

5.8 mm

Өнім:

MOSFET

Транзистор түрі:

1 N-channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

5 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

4 S

Күз уақыты:

3.2 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

4.3 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

23.8 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9.7 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RS1G120MN

Бірлік салмағы:

0.002490 oz

Tags

RS1G120M, RS1G12, RS1G1, RS1G, RS1