DMT10H010LSS-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

29.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

14.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

53.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.9 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMT10H010

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

22 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

14.1 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

42.9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11.6 ns

Бірлік салмағы:

0.017870 oz

Tags

DMT10H010L, DMT10H010, DMT10H01, DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT