TN5325N3-G-P002

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-92-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

250 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

215 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

8 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

740 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

5.33 mm

Ұзындығы:

5.21 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.19 mm

Бренд:

Микрочип технологиясы

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns

Зауыттық буманың саны:

2000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Бірлік салмағы:

0.016000 oz

Tags

TN5325N3-G, TN5325N3, TN5325N, TN5325, TN532, TN53, TN5