IPP60R190C6XKSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

170 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

63 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

151 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

CoolMOS

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

15.65 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

CoolMOS C6

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.4 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

110 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPP60R190C6 IPP6R19C6XK SP000621158

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

IPP60R190C, IPP60R190, IPP60R19, IPP60R1, IPP60R, IPP60, IPP6, IPP