TSM3N80CH C5G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Тайвань жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

19 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

94 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Тайвань жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.7 S

Күз уақыты:

41 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

36 ns

Зауыттық буманың саны:

3750

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

106 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

48 ns

Бірлік салмағы:

0.012102 oz

Tags

TSM3N8, TSM3N, TSM3, TSM