SIRA18BDP-T1-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerPAK SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

40 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 4.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 16 V, + 20 V

Qg - қақпа заряды:

12.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Арна режимі:

Таусылуы

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns

Tags

SIRA18, SIRA1, SIRA, SIR