SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA417DJ-T1-GE3
Өндіруші:
Vishay / Siliconix
Сипаттама:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIA427ADJ-T1-GE3
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SIA417DJ-T1-GE3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIA417DJ-T1-GE3 DatasheetSIA417DJ-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIA417DJ-T1-GE3 Datasheet (P7)
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Вишай
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
PowerPAK-SC70-6
Сауда атауы:
TrenchFET
Қаптама:
Ролик
Биіктігі:
0.75 mm
Ұзындығы:
2.05 mm
Серия:
SIA
Ені:
2.05 mm
Бренд:
Вишай / Силиконикс
Өнім түрі:
MOSFET
Зауыттық буманың саны:
3000
Ішкі санат:
MOSFETs
Бөлім # Бүркеншік аттар:
SIA417DJ-GE3
Бірлік салмағы:
0.070548 oz
Tags
SIA417, SIA41, SIA4, SIA
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***nell
P CHANNEL MOSFET, -8V, 12A, SC-70
***i-Key
MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-12000mA; Drain Source Voltage, Vds:-8V; On Resistance, Rds(on):0.095ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V; Power Dissipation, Pd:3.5W ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
P CHANNEL MOSFET, -8V, 12A, SC-70; Trans; P CHANNEL MOSFET, -8V, 12A, SC-70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):95mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; No. of Pins:6
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SIA417DJ-T1-GE3
DISTI # SIA417DJ-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIA417DJ-T1-GE3
    DISTI # SIA417DJ-T1-GE3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SIA417DJ-T1-GE3
      DISTI # SIA417DJ-T1-GE3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SIA417DJ-T1-GE3
        DISTI # 781-SIA417DJ-T1-GE3
        Vishay IntertechnologiesMOSFET 8.0V 12A 19W 23mohm @ 4.5V
        RoHS: Compliant
        0
          SIA417DJ-T1-GE3Vishay SiliconixPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 8V, 0.023OHM, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET2895
          • 2561:$0.2750
          • 572:$0.3125
          • 1:$1.0000
          Сурет Бөлім № Сипаттама
          SIA417DJ-T1-GE3

          Mfr.#: SIA417DJ-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SIA417DJ-T1-GE3

          MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIA427ADJ-T1-GE3
          SIA417DJ-T1-GE3

          Mfr.#: SIA417DJ-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SIA417DJ-T1-GE3-VISHAY

          IGBT Transistors MOSFET 8.0V 12A 19W 23mohm @ 4.5V
          SIA417DJ-T1

          Mfr.#: SIA417DJ-T1

          OMO.#: OMO-SIA417DJ-T1-1190

          Жаңа және түпнұсқа
          SIA417DJ-T1-E3

          Mfr.#: SIA417DJ-T1-E3

          OMO.#: OMO-SIA417DJ-T1-E3-1190

          MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIA427ADJ-T1-GE3
          Қол жетімділік
          Қор:
          Available
          Тапсырыс бойынша:
          3500
          Саны енгізіңіз:
          SIA417DJ-T1-GE3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
          -ден бастаңыз
          Ең жаңа өнімдер
          • SUM70101EL 100 V P-Channel MOSFET
            Vishay Siliconix's SUM70101EL MOSFET has industry leading RDS(ON) (0.0101 Ω at -10 V and 0.015 Ω at -4.5 V) minimizes conduction loss and increases efficiency.
          • Compare SIA417DJ-T1-GE3
            SIA417DJT1 vs SIA417DJT1E3 vs SIA417DJT1GE3
          • SIRA20DP TrenchFET® Gen IV MOSFET
            Vishay Siliconix's SIRA20DP TrenchFET® Gen IV MOSFET provides the lowest maximum RDS(on) rating at VGS = 10 V.
          • P-Channel MOSFETs
            Vishay Siliconix's p-channel TrenchFET® GEN III and IV MOSFETs have the lowest on-resistance per area for p-channel MOSFETs.
          • SiP32452, SiP32453 Load Switch
            Vishay's load switches have a low input logic control threshold and a fast turn on time.
          • PowerPAIR®
            Vishay's PowerPAIR series are dual asymmetric MOSFETs that help to simplify design and decrease conduction losses.
          Top