CXDM1002N TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Орталық жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-89

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

140 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.7 mm

Ұзындығы:

4.7 mm

Серия:

CWDM

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

2.7 mm

Бренд:

Орталық жартылай өткізгіш

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

50 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

CXDM1002N PBFREE TR

Бірлік салмағы:

0.004603 oz

Tags

CXDM, CXD