SQ3585EV-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSOP-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арнасы, P-арнасы

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.57 A, 2.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

49 mOhms, 140 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV, 1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

2.5 nC, 3.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.67 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

10 S, 3 S

Күз уақыты:

8 ns, 14 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns, 16 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns, 29 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns, 7 ns

Tags

SQ35, SQ3