IRFS7530-7PPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-7

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

338 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.15 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.7 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

354 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

375 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

StrongIRFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

249 S

Күз уақыты:

79 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

102 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

168 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

24 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001565236

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IRFS7530, IRFS753, IRFS75, IRFS7, IRFS, IRF