OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Арба

SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3
Mfr. #:
SI7900AEDN-T1-E3
Өндіруші:
Vishay
Сипаттама:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 8.5A 1.5W
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SI7900AEDN-T1-E3 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SI7900AEDN-T1-E3 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші
Вишай Силиконикс
Өнім санаты
FETs - массивтер
Сериялар
TrenchFETR
Қаптама
Digi-ReelR балама орамасы
Бөлік бүркеншік аттар
SI7900AEDN-T1
Монтаждау стилі
SMD/SMT
Сауда атауы
TrenchFET/PowerPAK
Пакет-қорап
PowerPAKR 1212-8 Dual
Технология
Си
Жұмыс температурасы
-55°C ~ 150°C (TJ)
Монтаждау түрі
Беттік орнату
Арналар саны
2 Channel
Жабдықтаушы-құрылғы-пакет
PowerPAKR 1212-8 Dual
Конфигурация
Қосарлы
FET түрі
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Қуат – Макс
1.5W
Транзистор түрі
2 N-Channel
Ағызу-көзге-кернеу-Vdss
20V
Кіріс-сыйымдылық-Ciss-Vds
-
FET мүмкіндігі
Логикалық деңгей қақпасы
Ағымдағы-Үздіксіз-ағызу-Id-25°C
6A
Rds-On-Max-Id-Vgs
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
900mV @ 250μA
Gate-Charge-Qg-Vgs
16nC @ 4.5V
Pd-қуат-диссипация
1.5 W
Максималды-жұмыс температурасы
+ 150 C
Ең төменгі жұмыс температурасы
- 55 C
Күз уақыты
1300 ns
Көтерілу уақыты
1300 ns
Vgs-қақпа-көзі-кернеу
12 V
Id-үздіксіз-ағызу-ток
6 A
Vds-ағызу-көз-бұзу-кернеу
20 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
26 mOhms
Транзистор-полярлық
N-арна
Әдеттегі-өшіру-кідірту уақыты
8600 ns
Әдеттегі-қосу-кешігу-уақыты
850 ns
Арна режимі
Жақсарту
Tags
SI7900AEDN-T1, SI7900AEDN-T, SI7900AE, SI7900A, SI7900, SI790, SI79, SI7
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Integrated MOSFETs with Common Drain
Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2 and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SI7900AEDN-T1-E3
DISTI # V72:2272_09216403		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
RoHS: Compliant		3000
  • 3000:$0.6550
  • 1000:$0.6936
  • 500:$0.8372
  • 250:$0.9543
  • 100:$0.9570
  • 25:$1.1724
  • 10:$1.1774
  • 1:$1.3583
SI7900AEDN-T1-E3
DISTI # SI7900AEDN-T1-E3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		47547In Stock
  • 1000:$0.8050
  • 500:$0.9715
  • 100:$1.2491
  • 10:$1.5540
  • 1:$1.7200
SI7900AEDN-T1-E3
DISTI # SI7900AEDN-T1-E3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		47547In Stock
  • 1000:$0.8050
  • 500:$0.9715
  • 100:$1.2491
  • 10:$1.5540
  • 1:$1.7200
SI7900AEDN-T1-E3
DISTI # SI7900AEDN-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		42000In Stock
  • 3000:$0.7546
SI7900AEDN-T1-E3
DISTI # 25790064		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
RoHS: Compliant		3000
  • 3000:$0.6550
  • 1000:$0.6936
  • 500:$0.8372
  • 250:$0.9543
  • 100:$0.9570
  • 25:$1.1724
  • 11:$1.1774
SI7900AEDN-T1-E3
DISTI # SI7900AEDN-T1-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7900AEDN-T1-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.7129
  • 6000:$0.6919
  • 12000:$0.6629
  • 18000:$0.6449
  • 30000:$0.6279
SI7900AEDN-T1-E3
DISTI # 06J8175		Vishay IntertechnologiesDUAL N CHANNEL MOSFET, 20V POWERPAK, FULL REEL,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:8.5A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):36mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:12V,Power Dissipation Pd:1.5W, RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$0.5600
  • 3000:$0.5560
  • 6000:$0.5290
  • 12000:$0.4690
SI7900AEDN-T1-E3
DISTI # 09X6454		Vishay IntertechnologiesMOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 6A, POWERPAK-8,Transistor Polarity:Dual N Channel,Continuous Drain Current Id:6A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.02ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:400mV , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.1000
  • 10:$1.0600
  • 100:$0.8350
  • 250:$0.7940
  • 500:$0.7410
  • 1000:$0.5940
SI7900AEDN-T1-E3
DISTI # 781-SI7900AEDN-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
RoHS: Compliant		2994
  • 1:$1.7200
  • 10:$1.4200
  • 100:$1.0900
  • 500:$0.9320
  • 1000:$0.7350
  • 3000:$0.6860
SI7900AEDN-T1-E3Vishay Siliconix6 A, 20 V, 0.026 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET2905
  • 1456:$0.4840
  • 326:$0.5500
  • 1:$1.7600
SI7900AEDN-T1-E3
DISTI # C1S803601003759		Vishay IntertechnologiesMOSFETs
RoHS: Compliant		3000
  • 250:$0.9543
  • 100:$0.9570
  • 25:$1.1724
  • 10:$1.1774
SI7900AEDN-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8Americas -
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    SI7900AEDN-T1-E3

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-E3

    		 MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
    SI7900AEDN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-GE3

    		 MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
    SI7900AEDN-T1-E3

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-E3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 8.5A 1.5W
    SI7900AEDN-T1-GE3

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 8.5A 3.1W 26mohm @ 4.5V
    SI7900AEDN

    Mfr.#: SI7900AEDN

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    SI7900AEDN-T

    Mfr.#: SI7900AEDN-T

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    SI7900AEDN-T1

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    SI7900AEDN-T1-E3 GE3

    Mfr.#: SI7900AEDN-T1-E3 GE3

    OMO.#: OMO-SI7900AEDN-T1-E3-GE3-1190

    		 Жаңа және түпнұсқа
    Қол жетімділік
    Қор:
    Available
    Тапсырыс бойынша:
    2500
    Саны енгізіңіз:
    SI7900AEDN-T1-E3 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    0,73 $
    0,73 $
    10
    0,69 $
    6,90 $
    100
    0,65 $
    65,34 $
    500
    0,62 $
    308,55 $
    1000
    0,58 $
    580,80 $
    -ден бастаңыз
    Top