APTGTQ200A65T3G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

IGBT модульдері

Технология:

-

Өнім:

IGBT кремний модульдері

Конфигурация:

Қосарлы

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

650 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1.65 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

200 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

480 nA

Pd - қуаттың шығыны:

483 W

Пакет/қорап:

SP3F

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 125 C

Қаптама:

Түтік

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

20 V

Өнім түрі:

IGBT модульдері

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

IGBT

Бірлік салмағы:

3.880136 oz

Tags

APTGTQ2, APTGTQ, APTGT, APTG, APT