IXFN180N25T

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Шасси бекіткіші

Пакет/қорап:

SOT-227-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

250 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

168 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

12.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

364 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

900 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HiPerFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

12.22 mm

Ұзындығы:

38.23 mm

Серия:

IXFN180N25

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

GigaMOS Power MOSFET

Ені:

25.42 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

90 S

Күз уақыты:

20 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

52 ns

Зауыттық буманың саны:

10

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

88 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

35 ns

Бірлік салмағы:

1.058219 oz

Tags

IXFN18, IXFN1, IXFN, IXF