IPB60R190C6ATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

170 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

63 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

151 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

CoolMOS

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Серия:

CoolMOS C6

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

110 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPB60R190C6 IPB6R19C6XT SP000641916

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IPB60R190C, IPB60R190, IPB60R19, IPB60R1, IPB60R, IPB60, IPB6, IPB