IRF1324STRL-7PP

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-7

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

24 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

429 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

800 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

180 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

270 S

Күз уақыты:

93 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

240 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

86 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001574484

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IRF1324STRL, IRF1324STR, IRF1324ST, IRF1324S, IRF1324, IRF132, IRF13, IRF1, IRF