IXTP3N100P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

4.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

39 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

125 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

Полярлық

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

16 mm

Ұзындығы:

10.66 mm

Серия:

IXTP3N100

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

Полярлық қуат MOSFET

Ені:

4.83 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.5 S

Күз уақыты:

29 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

27 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

75 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

22 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXTP3N1, IXTP3N, IXTP3, IXTP, IXT