IPS65R1K0CEAKMA2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

PG-TO-251-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

15.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

68 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

13.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

5.2 ns

Зауыттық буманың саны:

1500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

41 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.6 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPS65R1K0CE SP001724356

Tags

IPS65R1K0CEA, IPS65R1K0, IPS65R1, IPS65R, IPS65, IPS6, IPS