BSS123T-HF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Comchip технологиясы

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

190 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

5.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

100 V

Qg - қақпа заряды:

2.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Аяқтау стилі:

SMD/SMT

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Comchip технологиясы

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15.2 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

10.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.2 ns

Tags

BSS123T, BSS123, BSS12, BSS1, BSS