SQ1470AEH-T1_GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.7 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

45 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

600 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

5.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

3.3 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Сауда атауы:

TrenchFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

2.1 mm

Серия:

SQ

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

14 S

Күз уақыты:

8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

14 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

SQ1470A, SQ1470, SQ147, SQ14, SQ1