ZXMN3B04N8TA

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8.9 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

25 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

5 mm

Серия:

ZXMN3B04

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

MOSFET

Ені:

4 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

16.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11.5 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

ZXMN3B04N8TA, ZXMN3B04N8T, ZXMN3B04N8, ZXMN3B04N, ZXMN3B04, ZXMN3B0, ZXMN3B, ZXMN3, ZXMN, ZXM