IXTA3N100D2HV

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263HV-2

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

37.5 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

125 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Таусылуы

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

40 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

67 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

34 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

27 ns

Tags

IXTA3N100D, IXTA3N10, IXTA3N1, IXTA3N, IXTA3, IXTA, IXT