IRF3709ZSPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

87 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

7.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.25 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

17 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

79 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.4 mm

Ұзындығы:

10 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

9.25 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

88 S

Күз уақыты:

4.7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

41 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

13 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001551038

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRF3709ZS, IRF3709Z, IRF3709, IRF370, IRF37, IRF3, IRF